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A aplicação mais antiga da fonte de luz LED feita pelo princípio da luz de junção PN semicondutora foi introduzida no início dos anos 60. O material usado na época era o GaAsP, que emitia luz vermelha (λp = 650 nm). Quando a corrente de acionamento era de 20 mA, o fluxo luminoso era de apenas alguns milésimos de lúmen e a eficiência luminosa correspondente era de cerca de 0,1 lm / W.
Em meados da década de 1970, os elementos In e N foram introduzidos para produzir luz verde (λp = 555 nm), luz amarela (λp = 590 nm) e luz laranja (λp = 610 nm), e a eficiência luminosa também foi aumentada para 1 lm / W.
No início dos anos 80, a fonte de luz LED dos GaAlAs apareceu, fazendo com que a eficiência luminosa do LED vermelho chegasse a 10 lúmens por watt.
No início dos anos 90, o desenvolvimento de dois novos materiais, o GaAlInP, que emite luz vermelha e amarela, e o GaInN, que emite luz verde e azul, melhoraram bastante a eficiência luminosa dos LEDs. Em 2000, o primeiro produziu LEDs nas regiões vermelha e laranja (λp = 615 nm) com uma eficácia luminosa de 100 lúmens por watt, enquanto o último produziu LEDs com uma eficácia luminosa de 50 lúmens na região verde (λp = 530 nm ) watt.
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